欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区-亚洲欧美综合

Anritsu 陽頭法蘭盤接頭V103M-R

2018-11-08 11:25:20 V103-R 可與 V100 夜明珠或 V100B 膠封式夜明珠協調一致融合。nritsu 出具了 V110-1 微帶優質的配置觸片 （也稱是"拖動觸體"）， 該觸耐力夠在進行室內溫度變、擠壓或振功時對拼接出具保障。 該尺寸的觸體可用作于跡線寬為 0.15 mm的微帶和共平面圖波導。

雷達射頻晶體管AM005WX-BI-R

2018-11-07 11:44:16 預警雷達微波rf射頻納米線管AM005WX-BI-R，其總柵極參數為0.5mm。它是在陶瓷圖片制品BI封裝，作業多達12千兆赫。BI系列作品選用特殊的設汁的陶瓷圖片制品封裝，擁有拉伸（Bi-G）或直（BI）引線的使用方式。封裝側面的活套法蘭此外對于直流電源的保護接地、微波rf射頻的保護接地和熱路。這篇分是達到RoHS規定的。

C波段VSAT高功率寬帶應用AM032MH4-BI-R

2018-11-07 11:36:48 C中波段VSAT高馬力聯通移動寬帶選用AM032MH4-BI-R，HIFET是部門匹配好的專利申請專用設備配資，中用高額定電壓、高馬力和聯通移動寬帶選用。該輸出電子元件的總輸出電子元件周圍為128mm。AM032 MH4-Bi-R是為高馬力微波加熱選用而方案的，工作中平率超過6GHz。BI款型選取某種特種方案的陶瓷圖片裝封，體現了內彎或垂直的引線和凸緣布置原則。

S波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM030MH4-BI-R

2018-11-07 11:32:45 S光波髙壓砷化鎵場反應氯化鈉晶體管AM030MH4-BI-R ，HIFET是一些配備的專利權設備搭配的高電壓電流，高最大功率，高曲線度和聯通寬帶用途。該電子元器件封裝的總電子元器件封裝周邊為12mm。

0319NA寬帶變壓器North Hills

2018-11-06 11:44:56 North Hills的0319NA帶寬電抗器，NA系列產品的帶寬電抗器遍布了0.1至300 MHz的聲音頻率超范圍內的很多集成運放配制。塑膠板材禮品盒結構設計用做嵌入印上集成運放板。*North Hills技術應用注解151-“帶寬電抗器”保證了管于巴倫電抗器內容的進第一步訊息。

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信號變換器 North Hills

2018-11-06 11:12:41 0320BF/0322BF共模灌入口BF系列作品的均衡性預警更改器，一條路變電器在0.1到100MHz的速度時間范圍內帶來了了非常均衡性的橫截面預警源。在這樣環境下，均衡性指的是某一腿較為于路面的額定電壓問題。BF系列作品的變電器極具內部設置共模預警灌入電線，為側量均衡性或UTP系統化對噪聲污染和影響的易感性的帶來了了自然的方法手段。

0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低讀取和反回耗損巴倫變電器，由不穩定性電機定子和平臺抽頭穩定性電機定子分解成的穩定性環，橫向傳導效率，兩位方面適合。North Hills巴倫斯精密鑄造建筑項目低讀取和回波耗損。優渥的穩定性是利用內再呈對稱的格局來做到的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447極高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫帶來了精確測量用電線路功能至1.2GHz的輕松和隨時的技巧。極高頻巴倫適配某一導向的輸出阻抗，而且為低添加和回波耗費通過了緊密設計。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫箱式變壓器，一樣 使用用途1千赫茲- 125兆赫，由不穩定性性電機繞線和服務中心抽頭穩定性性電機繞線組成了的穩定性性環，雙軌傳達最大功率，倆個趨勢符合。北山巴倫斯五金機械水利低導入和回波耗損率。領先的穩定性性是借助內心對應點的機構來確保的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 Lk線超直流電砷化鎵場效用尖晶石管AM010MH4-BI-R，HiFET是超直流電、高額定熱效率、高規則化和光纖寬帶用途的環節配比發明專利裝置搭配。該元器的總元器外層為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高額定熱效率微波通信用途而來設計的，工作的頻點達到3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S股票波段高增益控制高電機馬力砷化鎵場作用晶狀體管AM120MH2-BI-R，HIFET是部件符合的實用新型產品性能，在高直流電壓、高電機馬力和聯通寬帶APP。該元元器封裝形式的總元元器封裝形式外面為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高電機馬力微波射頻APP而制定的，作業聲音頻率多達6GHz。BI系統利用本身特有制定的瓷質封裝形式，極具內彎或直線條的引線裝配途徑。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L中波段砷化鎵場因素晶胞管高電流值高輸出公率和聯通寬帶APPAM010MH2-BI-R，該公率電子元器件的總公率電子元器件外場為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高輸出公率微波射頻APP而設汁的的，任務頻段高達模型6GHz。BI系統選擇本身唯一性設汁的的陶瓷制品打包封裝，更具屈曲或切線的引線安裝方試。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X股票波段低躁音調大器存儲芯片是躁音指數公式很低的調大器。正常用做各樣移動電接收到機的低頻或中頻3.5mm調大器，并且高靈敏性度光電子偵測機械設備的調大電路設計。在調大忽閃數字信號燈的商務活動，調大器企業自身的躁音對數字信號燈的電磁干擾也許太嚴重，由于祝愿大于這類躁音，以上升的輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C股票波段PCS通信機器設備基站航班電子技術通信機器設備AM005MH2-BI-R。HIFET是一些識別的專利局機器設備增加，適用高電壓值、高耗油率和移動寬帶APP。該元器的總元器外圍網為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高耗油率微波加熱APP而來設計的，工作的概率敢達6 GHz。它也是更重耗油率元器的不錯安裝控制器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S中波段頻射砷化鎵場滯后效應熱效率管AM300MX-CU-R，這三地方的總水利閘門高度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高熱效率微波微波射頻軟件而裝修裝修設計的，工做概率超過6GHz。Cu一系列所采用一項唯一性裝修裝修設計的陶瓷制品打包封裝形式，極具直坐的引線和凸緣的配置方案。打包封裝形式底下的法蘭部還用作直流電源與地面、頻射與地面和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S波長高電率微波微波射頻通信微波微波射頻微波射頻硫化鋅管AM200MX-CU-R，這組成部分的總水閘：寬度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高電率微波微波射頻通信操作而規劃的，任務頻繁達到6GHz。Cu類別就是種專項 規劃的陶瓷制品芯片打包封裝，兼備直線條式引線和凸緣裝置式。芯片打包封裝底端的法蘭片同時最為直流電壓等電位連接保護、微波微波射頻微波射頻等電位連接保護和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C頻譜VSAT砷化鎵場滯后效應額定電機功率管AM150MX-CU-R ，這一本分的總柵極大小為15mm。AM150 MX-CU-R是為高額定電機功率微波加熱使用而裝修設計的的，操作聲音頻率自由高達6GHz。Cu系列的不是種特異裝修設計的的衛浴陶瓷封口，有雙曲線式引線和凸緣施工式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L股票股票波段S股票股票波段大電機電馬力砷化鎵電機電馬力場調節作用納米線管AM100MX-CU-R，這一個分的總柵極屏幕寬度匹配為10mm。AM100MX-CU-R是為高電機電馬力微波通信軟件而開發的，工作上次數超過6GHz。Cu國產就是種比較特殊開發的瓷器封口，含有垂直線式引線和凸緣裝式。封口最下面的法蘭部同時算作整流保護的接地、rf射頻保護的接地和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 Pk線高工作電壓紅外光射頻廣泛采用砷化鎵MESFET器材AM072MX-CU-R，這部劇分兩個全方面的學習7.2mm門的：寬度。在AM072MX-CU-R是自愿設定的用做高工作電壓紅外光射頻廣泛采用，基本操作到6GHz。學習銅型號的美圖照片，是在兩個自愿設定的瓷磚包裝袋與直導和Cu / W的蓋在兩個下拉的安裝程序方法。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L光波S光波高工率微波加熱操作構思rf射頻單晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C中股票波段S中股票波段微波射頻射頻多晶體管AM036MX-QG-R，這十大部分的總柵極參數為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高熱效率微波射頻應用領域而來設計的，工作中速率更是高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L波長S波長頻射納米線管圖像業務效率放大器AM024MX-QG-R ，這那要素的總柵極間距為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高業務效率紅外光采用而設計的概念的，業務頻點將高達6GHz。QG類型是個金屬打包芯片封裝，其它引腳拉伸的表層按裝休閑風的PC板。打包芯片封裝的底端還做為整流接地極裝置、頻射接地極裝置和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S波長P波長結晶體管AM012MX-QG-R，這一方面分的總柵極總寬為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高辦公功率徽波app而方案的，辦公聲音頻率高達mg6GHz。QG系列的就是個pp塑料封裝形式形式，所有引腳可以彎曲的的面上安轉極簡風格的PC板。封裝形式形式的頂端互相成為交流電接地保護保護、rf射頻接地保護保護和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L股票光波S股票光波微波加熱微波射頻多晶體管AM006MX-QG-R，這一部電影分的總柵極屏幕寬度匹配為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高事情效率微波加熱選用而設計的概念的，事情聲音頻率自由高達6GHz。QG產品系列是個塑膠片封口形式，其他引腳可以彎曲的的界面按照風格特點的PC板。封口形式的低部此外看作整流接地系統裝置、微波加熱微波射頻接地系統裝置和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku股票波段微波射頻晶胞管圖像運放電路AM005WN-00-R，其總柵極尺寸為0.5mm。這個是一位裸模，是可不可以作業到18千兆赫。它是可不可以提供數據類型的飽滿功效為33.4 dBm。它該用于低燥聲、高動向規模的發送機和高功效火箭發射機的動力器。電視劇劇情分是符合標準規定RoHS標準規定的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X中光波Ku中光波頻射納米線管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S波長C波長X波長Ku波長K波長分布圖式低噪音分貝變小器處理器CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波長）GaN低噪音分貝變小器MMIC，。該寬帶網絡電子器件是滿足讓低噪音分貝數值的性能和高進入工作功率荒島生存工作能力的用途。CMD290帶來12.5 dB的增益值，一定的噪音分貝數值為2.3 dB，13 GHz時的傳輸1 dB減小點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低背景躁音放小器CMD163攻沙K中波段低背景躁音放小器存儲芯片，有的是款高動態性規模GaAs MMIC低背景躁音放小器，越來越采應用在攻沙，余地和無線通信系統軟件，之中小寸尺和高平滑度是關鍵性的設計標準要求。該電子元器件專門針對21 GHz實現了升級優化，可提供數據突破24 dB的增益控制，相關的的傷害1 dB擠壓點為+19 dBm，背景躁音因子為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 Ck線VSAT頻射結晶管AM025WN-00-R，其總柵極長寬比為2.5mm（二個1.25mm的FET串聯）。她是一位裸模，都能夠工作到15千兆赫。它都能夠出具一般的過剩工作效率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 Xk線Kuk線微波射頻晶狀體管AM100WN-00-R，其總柵極大小為10mm（十個1.25mm的FET串聯）。這便是兩個裸模，可不是可以啟用到15千兆赫。它可不是可以帶來主要表現的飽滿電機功率為46.1 dBm。