S中波段髙壓砷化鎵場定律單晶體管AM030MH4-BI-R
發布的事件:2018-11-07 11:32:45 打開網頁:1761
描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙系例GaAs HIFET的一臺分。HIFET是部件連接的申請的設備配備的高輸出公率,高公率,高規則化度和寬帶網絡app。該集成電路芯片的總集成電路芯片外圍網為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高公率徽波app而來設計的,工作上幀率高達獨角獸3GHz。BI系例運用其中一種特定來設計的陶瓷制品封裝,兼有彎度或平行線的引線和凸緣按裝玩法。封裝上端的法蘭片此外作整流保護接地極、微波射頻保護接地極和熱路。這些HiFET是達到RoHS基準的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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511AM030MH4-BI-R RLB
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1周
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50
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特征
28伏
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2GHz
高功率:P1dB=35dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=50 dBm @ 2.0GHz
適用于合理熱量散發的瓷磚封裝形式
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信