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運用具備單獨的柵極偏置管理的串行晶狀體管的GaN HEMT放小器的線型改善

披露時刻：2018-05-04 13:53:07     觀看：9310

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：食用包括單獨的柵極偏置管理的電容串聯單晶體管的GaN HEMT變大器的波形怎強。 GaN HEMT含有較高的輸出電壓精度輸出電壓溶解度和較寬的傳輸速率成瓦數。而且，GaN HEMT的線形典型案例地比GaAs元件的線形更差。小編指出了一大種簡簡單單的方式 來改善GaN HEMT的線形度。所指出的方式 是將元件拆分與獨立的把握的柵極偏置電阻串聯的多子象限，并且將輸出電壓合合為子象限輸出電壓精度。伴演擴大器..
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