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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙國產的這位置。HIFET是位置匹配好的專利申請系統增加，技術使用在高端電壓、高電輸出和光纖寬帶技術使用。該電子元器材的總電子元器材外部為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高電輸出紅外光技術使用而來設計方案的，操作頻率高達hg6GHz。BI國產用到一個比較特殊來設計方案的瓷器芯片封裝，還具有拉伸或直線方程的引線布置形式。芯片封裝頂端的法蘭部也用作整流的的接地、rf射頻的的接地和熱路。這點HiFET是非常符合RoHS標準規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
用來很好散熱的陶瓷圖片打包封裝

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信