L光波壓力砷化鎵場因素納米線管AM010MH4-BI-R
披露時期:2018-11-05 15:33:48 瀏覽訪問:1811
描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙國產GaAs HIFET的有一部電影分。HiFET是髙壓、高耗油率、高線條和帶寬操作的部件識別專業裝備配置單。該集成電路芯片的總集成電路芯片內圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高耗油率徽波操作而構思的的,工做頻段可高達3GHz。BI國產選取一種生活個性化構思的的陶瓷廠家封口,具備有彎折或線條的引線和凸緣進行安裝方試。封口底邊的法蘭片時候最為直流變壓器跨接、頻射跨接和熱路。這點HiFET是具備RoHS規定的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM010MH4-BI-R
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1周
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50
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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2.0GHz
高功率:P1dB=31 dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=46dBm @ 2.0GHz
在有郊散熱性能的瓷器封裝形式
應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信