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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低導入和載入衰減巴倫干式變壓器，由不均衡電機定子和服務中心抽頭均衡電機定子組合而成的均衡環，雙項轉遞最大功率，好幾個目標配備。North Hills巴倫斯精細工程建設低導入和回波衰減。適宜的均衡是經由底層相交的形式來完成的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447極高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫提拱了測試電源電路性質至1.2GHz的簡簡單單和可以的辦法。極高頻巴倫配對指定方問的特性阻抗，還有就是為低加上和回波自然損耗采取了精密模具設計方案。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫配電變壓器，平常的用途1千赫茲- 125兆赫，由不動均衡性電機定子和公司抽頭動均衡性電機定子成分的動均衡性環，橫向傳送功效，倆個定位匹配好。北山巴倫斯精細水利工程低讀取和回波耗損。優勝的動均衡性是使用自身軸對稱的結構設計來做到的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L波長直流電砷化鎵場不確定性硫化鋅管AM010MH4-BI-R，HiFET是直流電、高最大輸出功率、高平滑和帶寬適用的局部適配專利證書的設備配資。該配件的總配件外場為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高最大輸出功率徽波適用而設計方案的，工作上的頻率可高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 Sk線高增益值高馬力砷化鎵場反應硫化鋅管AM120MH2-BI-R，HIFET是環節相匹配的專屬機 系統配置，適用高輸出效率、高馬力和移動寬帶利用。該元元器件封裝形式封裝形式的總元元器件封裝形式封裝形式周邊為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高馬力紅外光利用而結構設計的，工作中速率達到了6GHz。BI系列表通過是一種特殊的結構設計的衛浴陶瓷封裝形式，體現了耐折或水平線的引線配置方案。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 Lk線砷化鎵場效果晶胞管高交流電壓高輸出和寬帶網絡操作AM010MH2-BI-R，該元器的總元器外部為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高輸出微波加熱操作而結構設定的，崗位幾率超過6GHz。BI產品使用的異常結構設定的陶瓷廠家二極管封裝，擁有彎折變形或水平線的引線裝玩法。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X頻譜低嗓聲調小器存儲芯片是嗓聲標準值很低的調小器。基本上當作各大wifi電受到機的低頻或中頻外置調小器，或高靈巧度微電子測探機械的調小電源線路。在調小微亮手機信息的場所，，調小器企業自身的嗓聲對手機信息的影響機會嚴格重，對此也希望大于種嗓聲，以加快內容輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C波長PCS移動通訊基站南航電子為了滿足電子時代發展的需求，通訊AM005MH2-BI-R。HIFET是要素搭配的發明權的設備系統配置，用到高電壓值、高輸出和寬帶網絡采用。該元公率元器件封裝的總元公率元器件封裝外面為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高輸出徽波采用而設汁的，辦公幾率高達獨角獸6 GHz。它也是很大輸出元公率元器件封裝的理想化動力器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S頻譜頻射砷化鎵場效用電率管AM300MX-CU-R，這一款分的總泄水閘屏幕寬度匹配為30mm。AM300 MX-CU-R是為高電率微波加熱用而定制的，崗位率高達hg6GHz。Cu全系列利用的特種定制的瓷器封口，有著挺直的引線和凸緣的的安裝策略。封口上端的卡箍直接做為電流跨接、頻射跨接和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S中波段高電工作中效率徽波微波通信頻射單晶體管AM200MX-CU-R，這十有些的總閘門啟閉機厚度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高電工作中效率徽波適用而定制的，工作中幾率更是高達6GHz。Cu系類都是種非常規定制的瓷質封裝，含有直線條式引線和凸緣配置式。封裝底邊的法蘭盤時用于整流的接地保護、微波通信頻射的接地保護和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C波長VSAT砷化鎵場效用功效管AM150MX-CU-R ，這有這部分的總柵極長寬為15mm。AM150 MX-CU-R是為高功效微波射頻用途而構思構思的，事情頻率獨角獸高達6GHz。Cu題材是一種種唯一性構思構思的陶瓷制品打包封裝，極具漸近線式引線和凸緣裝有式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L股票光波S股票光波大輸出砷化鎵輸出場效用結晶管AM100MX-CU-R，這一款分的總柵極高寬比為10mm。AM100MX-CU-R是為高輸出微波加熱應運而方案的，工作的速率高達模型6GHz。Cu產品也是種特出方案的瓷器二極管封裝形式，具備有直線行駛式引線和凸緣配置式。二極管封裝形式低部的法蘭片而且是整流的接地裝置、微波射頻的接地裝置和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 Pk線高電額定功率徽波加熱運用砷化鎵MESFET集成電路芯片AM072MX-CU-R，這檔分有個個逐步的分析方案7.2mm門的屏幕寬度匹配。在AM072MX-CU-R是進行設汁的用到高電額定功率徽波加熱運用，進行到6GHz。分析方案銅系類的婚紗照，是在這個進行設汁的淘瓷再生與直導和Cu / W的蓋在這個下拉的組裝方法。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L股票光波S股票光波高耗油率微波rf射頻軟件設計方案rf射頻氯化鈉晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C波長S波長rf射頻晶狀體管AM036MX-QG-R，這一步分的總柵極厚度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高效率徽波選用而構思的，的工作率更是高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L波長S波長微波加熱頻射氯化鈉晶體管變大器AM024MX-QG-R ，這有一部電影分的總柵極高寬比為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高運轉電壓微波加熱軟件而設計方案的，運轉平率萬代高達6GHz。QG產品就是個材料芯片封裝形式，那些引腳打彎的外表面裝風格特征的PC板。芯片封裝形式的底下并且看做直流電源一定接地保護、微波加熱頻射一定接地保護和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 Sk線Pk線單晶體管AM012MX-QG-R，這有一部電影分的總柵極大小為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高功效微波加熱軟件而設計的概念的，本職工作平率高達模型6GHz。QG系列產品都是個塑膠片二極管芯片封裝，很多引腳曲折的外觀重新安裝特色的PC板。二極管芯片封裝的下端的同時算作電流跨接裝置、微波射頻跨接裝置和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L中股票波段S中股票波段頻射多晶體管AM006MX-QG-R，這有一部電影分的總柵極屏幕寬度匹配為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高工率微波微波射頻技術應用而構思的，運作頻帶寬度可以達到6GHz。QG編就是一個橡膠二極管裝封，任何引腳打彎的外觀重新安裝風格特點的PC板。二極管裝封的底邊同一看作直流電一定的接地、頻射一定的接地和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku光波rf射頻單晶體管放縮器AM005WN-00-R，其總柵極尺寸為0.5mm。這便是一款 裸模，還也可以正常運行到18千兆赫。它還也可以供應舉例的達到飽和狀態電工作效率為33.4 dBm。它快速可用于低噪音污染、高動態的面積的接收入機和高電工作效率發射成功機的控制器器。這部電影分是適用RoHS標準規范的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X波長Ku波長rf射頻氯化鈉晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S頻譜C頻譜X頻譜Ku頻譜K頻譜分布不均式低嗓聲擴大器IC芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K頻譜）GaN低嗓聲擴大器MMIC，。該移動寬帶輸入功率器件十分時候耍求低嗓聲彈性標準值機械性能和高發送輸入功率我的世界生存功能的操作。CMD290給出12.5 dB的收獲，應當的嗓聲彈性標準值為2.3 dB，13 GHz時的輸入1 dB壓縮的點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低躁音增加器CMD163國防軍事訓練K頻譜低躁音增加器電子元器件，是一個款高信息比率GaAs MMIC低躁音增加器，很可用以國防軍事訓練，環境和無線通信裝置，表中小長寬和高規則化度是關鍵所在設計的概念標準。該元器件共性21 GHz確定了升級優化，可保證多于24 dB的增益值，此類的效果1 dB縮短點為+19 dBm，躁音指數公式為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 Ck線VSAT微波射頻結晶體管AM025WN-00-R，其總柵極總寬為2.5mm（二個1.25mm的FET并接）。那就是個裸模，可操作到15千兆赫。它可給出一般的飽滿工作功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X頻譜Ku頻譜微波射頻晶狀體管AM100WN-00-R，其總柵極橫向為10mm（五個1.25mm的FET串并聯）。這里是一位裸模，可不不錯開機運行到15千兆赫。它可不不錯給予非常典型的飽和工作功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X股票中波段Ku股票中波段rf射頻硫化鋅管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X光波微波頻射硫化鋅管C光波微波頻射硫化鋅管AM005WN-BI-R，其總柵極大小為0.5mm。它在衛浴陶瓷制品封口中運作大約12 GHz。BI系類操作特俗設計的的衛浴陶瓷制品封口，含有彎曲變形（Bi-G）或直（BI）引線的安裝程序方法。封口底的法蘭盤互相成為電流一定接地保護、微波頻射一定接地保護和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X中波段微波微波射頻結晶體管AM012WN-BI-R，就是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極厚度為1.25mm。它是在瓷器BI打包封口，進行多達10千兆赫。BI系統用特殊性制定的瓷器打包封口，有曲折（Bi-G）或直（BI）引線的組裝途徑。打包封口底端的活套法蘭同樣充當整流的與地面、微波微波射頻的與地面和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C頻譜微波rfrf射頻結尖晶石管S頻譜微波rfrf射頻結尖晶石管AM025WN-BI-R，就是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極厚度為2.5mm。它在瓷器圖片二極管二極管封裝形式中運作多達8 GHz。BI類型選用特種結構設計的瓷器圖片二極管二極管封裝形式，包括彎曲成（Bi-G）或直（BI）引線的進行安裝方試。二極管二極管封裝形式下面的卡箍時候當做電流一定的接地、微波rfrf射頻一定的接地和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P光波L光波高輸出紅外光用AM100WN-CU-R，整個局部的總柵極大小為10mm。AM100WN-CU-R是專程為高輸出紅外光用設計的概念方案的，運作頻帶寬度能達6GHz。CU型號是專程設計的概念方案的陶瓷圖片封裝，兼備直引線和插裝式活套法蘭部。封裝底層的活套法蘭部同時用于直流電源接地系統保護、微波射頻接地系統保護和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S波長C波長AM050WN-CU-R瓷磚封裝GaN公率HEMT DC-6GHz，整個環節的總柵極總寬是5mm。AM050WN-CU-R是為高公率微波rf射頻利用而的的設計的，事情頻繁 可達到6GHz。CU品類是幫忙的的設計的瓷磚封裝，具有著直引線和立式式法蘭部部。封裝低部的法蘭部部直接是 直流變壓器地線線、rf射頻地線線和熱路。