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L波長低壓砷化鎵場相互作用結晶管AM010MH4-BI-R

發部時期:2018-11-05 15:33:48     網頁瀏覽:1760

描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙產品一系列GaAs HIFET的部門。HiFET是直流變壓器高壓、高電任務效率、高曲線和網絡帶寬APP的部門符合國家專屬機 顯卡配置。該電子元件的總電子元件外邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電任務效率紅外光APP而的制定的,任務平率達到了3GHz。BI產品一系列選擇種特出的制定的淘瓷封口,兼備微彎或虛線的引線和凸緣安轉途徑。封口底的法蘭片此外有所作為直流變壓器跨接、微波射頻跨接和熱路。這一HiFET是符合國家RoHS標準化的。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM AM010MH4-BI-R 1周 50
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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益:g= 19dB@ 2.0GHz
高功率:P1dB=31 dBm @ 2.0GHz
高線性度:IP3=46dBm @ 2.0GHz
應用在很好的cpu散熱的瓷磚裝封


應用
寬帶應用
高電壓20~28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信
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