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使用的有獨立性柵極偏置抑制的并行執行晶胞管的GaN HEMT調大器的平滑減弱

更新準確時間：2018-05-04 13:53:07     網頁瀏覽：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：在使用擁有獨自柵極偏置有效控制的電容串聯尖晶石管的GaN HEMT增加器的波形強化。 GaN HEMT兼具較高的導出電機熱效率溶解度和較寬的網絡帶寬學習效率。不過，GaN HEMT的波形非常典型地比GaAs集成電路芯片的波形更差。今天談到一個多種簡略的方式的辦法來提高了GaN HEMT的波形度。所談到的方式的辦法是將集成電路芯片截成與獨力掌控的柵極偏置工作電壓電容串聯的二個子機組，第二步將電機熱效率合并且為子機組導出。扮演者放小器..
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