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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R都是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極長度為1.25mm。它是在衛浴淘瓷BI芯片封口形式，開機運行到達10千兆赫。BI款型的使用唯一性設計的衛浴淘瓷芯片封口形式，更具彎曲成（Bi-G）或直（BI）引線的按裝手段。芯片封口形式側面的法蘭部與此同時看做直流電源保護接地保護、微波射頻保護接地保護和熱路。這不分是復合RoHS準則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
有效性散熱的尾部

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機