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描述
AMCOM的AM00 5WN BI-R是一種個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極凈寬為0.5mm。它在淘瓷二極管裝封中正常運行led光通量12 GHz。BI產品系列應用特異設計方案的淘瓷二極管裝封，更具曲折（Bi-G）或直（BI）引線的進行安裝策略。二極管裝封下方的活套法蘭時為直流電一定接地裝置、頻射一定接地裝置和熱路。本分是按照RoHS規則的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-R	1周	60

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特征
高達12 GHz的高頻操作
增益＝15dB，p5dB＝33.5dBm，PAE＝51%，漏極＝56% @ 3GHz。
表面貼裝
有用導熱的底端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機