S股票波段高增加收益高電功率砷化鎵場反應結晶管AM120MH2-BI-R
發布消息時段:2018-11-05 15:21:31 挑選:1633
描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙一編的一臺分。HIFET是一些連接的專利證書機器配值,主要用于高直流電電壓、高電機額定功率和聯通寬帶應該用。該電子元元器件的總電子元元器件內圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高電機額定功率微波通信應該用而結構設計構思的,工作上率超過6GHz。BI一編通過一些異常結構設計構思的瓷器芯片二極管封裝,具彎度或漸漸的引線安裝使用原則。芯片二極管封裝左下角的卡箍另外作直流電跨接、頻射跨接和熱路。在這個HiFET是非常符合RoHS標的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM120MH2-BI-R
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1周
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80
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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益:g= 14dB@ 2GHz
高功率:P1dB=39 dBm @ 2GHz
高線性度:IP3=49 dBm @ 2GHz
在更有效散熱管的工業陶瓷封裝形式
應用
寬帶應用
高電壓10~14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信