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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R也是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極長度為2.5mm。它在瓷質制品裝封形式中執行大約8 GHz。BI國產操作特殊化設計構思的瓷質制品裝封形式，擁有變形（Bi-G）或直（BI）引線的布置方式方法。裝封形式底的法蘭片一同對于電流的一定接地、微波射頻的一定接地和熱路。這一一部分是具備RoHS的標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
合理有效散熱管的左下角

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機