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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極橫向為1.25mm。它是在瓷質BI打包芯片封裝類型，運作超過10千兆赫。BI款型的使用異常制定的瓷質打包芯片封裝類型，擁有耐折（Bi-G）或直（BI）引線的裝有方式。打包芯片封裝類型底端的法蘭盤同一時間成為整流一定跨接、頻射一定跨接和熱路。本分是適合RoHS的標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
有效地水冷的側面

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機