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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具備高所在熱錯誤率比熱容和寬帶網寬下的極有錯誤率率。而且GaN HEMT的波形度一般來說比GaAs元電子器件封裝的波形度差。此文強調新一種簡略的的辦法來減少GaN HEMT的波形度。所強調的的辦法是將元電子器件封裝劃分與單獨控制的柵極偏置工作電壓電容串聯的數個子象限，再上下聯象限所在確定熱錯誤率搭配組合。

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