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自己報告模板好幾個個高耐腐蝕性的GaN MMIC功效變大器工作中在40MHz到400MHz兩者之間。這是保持80W脈沖激光造成的（100US脈沖激光造成的高寬比和10%占空比）MMIC再循環）傷害電流功效（P5dB），40MHz，50W高轉化率為54%一般在30%的高轉化率在大那部分的里頭股票波段，各類在400MHz時，高轉化率越來越減低到30W，高轉化率為22%。40-400MHz頻段的功效收獲為25dB。這是超大帶耐腐蝕性是完成裁切設施設配來保持的。傷害電流抗阻，并操作與眾不同的聯通寬帶網電源電源線路篩選拓補學。兩種方式設施設配的相信設計制作技術并如下篩選電源電源線路。指標條款英文-聯通寬帶網變大器，高電流技術，徽波元器件封裝，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
國產（圖2）。直流變壓器偏置電阻值和rf射頻傷害精度電位差那樣HIFET全部都是1.4mm組織電池組的兩倍。系統設計，特備是在超低頻高壓發生器段。能夠 應當的使用組織摸塊機 的大小不一和摸塊摸塊機 的比例國產，自己可優化調整HIFET傷害精度電位差為臨近50歐姆，以控制網絡帶寬效果。