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?第3代650 V裸片SiC MOSFET

上傳準確時間:2025-01-03 16:57:39     查看:674

行同行業超一流導通電阻馬力和按鈕耗損率,才可以推動最好的耐熱性和馬力密度計算公式技術指標。

Wolfspeed據第四代650 V SiC MOSFET不斷增加了其無定形碳硅(SiC)工藝上的為主地方。在更切實的電能控制系統中符合體態更小、總重量更輕、越來越高效的電能流量轉化。650 V SiC MOSFET是功能優異工業化開關電源、售后阿里云服務器/鐵通微信網絡電源適配器、新綠色能源自高鐵動車(EV)充點試驗裝置、儲電的設備、緊急救援電壓(UPS)和干電池工作機系統等能力的最宜選澤。

特征英文

恒溫區域環境的低導通電阻功率

低內寄生電感

必備越來越低反向的方式給回恢復原狀的高效性穩壓管

維持中高溫控制車(Tj=175°C)

MOSFET.png

優越

能夠調控旋轉開關和接入損失增加機械設備速率

控制高控制開關的頻率控制車

加強控制系統級馬力體積密度性能參數

降低了裝備規格參數;承重;和水冷卻規范

典范用

工農業24v電源

服務項目器/電信寬帶網站

新清潔能源充值樁提升裝置

微電網系統(ESS)

應急響應電壓(UPS)

充電電池菅理系統的(BMS)

CREE科銳于2017年剝離 出微波rf射頻rf射頻公司Wolfspeed,以聯通寬帶、大功效增加器產品為杭州特色。

上海市立維創展新材料技術是CREE的加盟商商,持有CREE微波射頻配件優勢可言供應商產品線,企業信用 保障原裝進口原單。

*那部分尺寸需申請辦理美式用于出口同意。詳情介紹明白更加產品型號,追捧詢問立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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