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900 V分立氧化硅MOSFET CREE

公布準確時間:2024-12-17 11:21:28     網頁瀏覽:752

CREE加密了其在氫氟酸處理硅(SiC)技能中的市場導向實力,低電感分立封裝類型必備寬沿面和漏極與源極中間的隙縫距離(~8mm)。900 V分立炭化硅MOSFET智能化運作最新消息的MOSFET集成電路芯片中頻性,而且出示運用于高污染問題的環境的超出電力隔離防曬。自己的開爾文源管腳避免了工作電壓電感;因而控制開關材料耗費避免了30%。制作師可使用從硅基跳轉硅基來調低集成電路芯片量;憑借上升打開能力,可憑借三電平拓撲結構關系變為成高效的兩電平拓撲結構關系。

的特點

在整體性工作的水溫範圍內,低電阻是900V Vbr

帶安裝驅動源的低特性阻抗封裝

高中醫電流,低RDS(上線)

低反向的方式給回醫治(Qrr)的極有效率本征整流二極管

有益于電容串聯,操作簡潔明了

MOSFET.png

特色

依據減小按鈕開關和轉遞耗率提高自己系統化成功率

做到高按鈕次數操控性

延長機系統級熱效率相對密度

降低了裝置產值;總重量;和制冷需要

重新啟動新的硬旋鈕拓撲結構(Totem Pole PFC)

先進典型用途

伺服電機把控好裝置

新清潔能源快速電動充電樁系統

作為應急的電壓(UPS)

鋰電測試方法設備

新發熱能源電動車疾速充電樁平臺

車載式電池充家電

齒輪傳動儀器

對接焊藝

鄭州市立維創展科技開發較少公司管理權限供應商CREE微波加熱元器件,倘若要求購CREE食品,請選擇右面電話客服練習我們公司!!!

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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