公布準確時間:2024-12-17 11:21:28 網頁瀏覽:752
CREE加密了其在氫氟酸處理硅(SiC)技能中的市場導向實力,低電感分立封裝類型必備寬沿面和漏極與源極中間的隙縫距離(~8mm)。900 V分立炭化硅MOSFET智能化運作最新消息的MOSFET集成電路芯片中頻性,而且出示運用于高污染問題的環境的超出電力隔離防曬。自己的開爾文源管腳避免了工作電壓電感;因而控制開關材料耗費避免了30%。制作師可使用從硅基跳轉硅基來調低集成電路芯片量;憑借上升打開能力,可憑借三電平拓撲結構關系變為成高效的兩電平拓撲結構關系。
的特點
在整體性工作的水溫範圍內,低電阻是900V Vbr
帶安裝驅動源的低特性阻抗封裝
高中醫電流,低RDS(上線)
低反向的方式給回醫治(Qrr)的極有效率本征整流二極管
有益于電容串聯,操作簡潔明了
特色
依據減小按鈕開關和轉遞耗率提高自己系統化成功率
做到高按鈕次數操控性
延長機系統級熱效率相對密度
降低了裝置產值;總重量;和制冷需要
重新啟動新的硬旋鈕拓撲結構(Totem Pole PFC)
先進典型用途
伺服電機把控好裝置
新清潔能源快速電動充電樁系統
作為應急的電壓(UPS)
鋰電測試方法設備
新發熱能源電動車疾速充電樁平臺
車載式電池充家電
齒輪傳動儀器
對接焊藝
鄭州市立維創展科技開發較少公司管理權限供應商CREE微波加熱元器件,倘若要求購CREE食品,請選擇右面電話客服練習我們公司!!!
Product SKU | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Tjmax | Package |
C3M0065090D | 900 V | 65 mΩ | 36 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0120090D | 900 V | 120 mΩ | 23 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0280090D | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-247-3 |
C3M0030090K | 900 V | 30 mΩ | 63 A | 150 °C | TO-247-4 |
C3M0065090J | 900 V | 65 mΩ | 35 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0120090J | 900 V | 120 mΩ | 22 A | 150 °C | TO-263-7 |
C3M0280090J | 900 V | 280 mΩ | 11.5 A | 150 °C | TO-263-7 |