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CMPA0060002D都是種含帶氮化鎵（GaN）高光學轉化率結晶管（HEMT）的片式微波通信集成系統電路原理（MMIC）。與硅或砷化鎵相較于較，GaN極具相對表現出色的能力，富含高的擊穿電壓場強、高的飽和點網絡漂移速度慢與高的導熱性常數。與Si和GaAs結晶體管相比較較，GaN HEMT還具備更為重要的電率孔隙率和更寬的速率。CMPA0060002D適用分布區式（導波）縮放器來設計構思，都可以在更小的被占綠地面積內完成極寬的網絡帶寬。

特征英文

?17 dB小信號燈增益控制值

?2 W其最典型的PSAT

?額定值電壓降達到28V

?高擊穿電壓場強

?較高溫度度安全使用

?長度0.169 x 0.066 x 0.004寸大

選用

?超長帶放小器

?光纖線線win7驅動

?檢測主設備

?EMC放縮器驅程器

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