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GTRB246608FC-V1是CREE的這款500瓦（P4dB）的SiC上GaN高智能電子知識率單晶體管（HEMT），銳意創新于多的標準蜂窩狀效率拖動器操作需要量設置。GTRB246608FC-V1掌握提高能力率和無軸環的熱增強打包封裝。

軟件規格

表述：高輸出RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

上限概率（MHz）：2400

增益控制（dB）：15.7

封裝類：Earless

特證

先進典型輸入脈沖CW性能方面，2400 MHz，48 V，10μs電磁工作頻率，10%占空比，整合輸出的

P4dB=600 W時的導出公率

P4dB=60%時的成功率

成都市立維創展科持非常有限品牌受權經售CREE徽波電子器件，倘若要有購CREE類產品，請超鏈接一側人工服務結合小編！！！