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CGHV60170D是氮化鎵（GaN）高網上轉化率尖晶石管（HEMT）。與硅或砷化鎵相較于較，GaN必備條件出眾的能；主要包括較高的損壞場強；是處于飽和狀態電子移位速度快較高；及較高的對流傳熱性。與Si和GaAs結晶體管不同于較，CGHV60170D提供了較高的輸出相對密度和更寬的頻帶間距間距。

產品的產品規格

闡釋：170瓦；6.0 GHz；50VGaN HEMT處理器

極低頻率（MHz）：0

高頻繁（MHz）：6000

收獲值（dB）：17

裝封品目：Die

特性

65%基本特征工作使用率增添使用率

170 W非常典型PSAT

50V調節

高電壓擊穿場強

頻率領域高至6 GHz

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