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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高智能電子轉入率晶胞管（HEMT），應該用在多原則蜂窩狀最大功率放小器技術工藝應該用。GTRB226002FC-V1兼具高效性化和無軸環的熱促進裝封風格。

企業產品外形尺寸

詮釋：SiC HEMT上的高工作功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

最低標準幾率（MHz）：2110

比較高幀率（MHz）：2200

P3dB輸出精度熱效率（W）：450

增加收益值（dB）：15

能力（%）：60

功能

具代表性的脈沖激光CW特性：10μs脈寬參數，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty沖壓模具速度=65%

增益值值=14dB

P3dB=450W時的打出電功率

男模仿真模型1B級（據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱導率

無鉛并充分滿足RoHS規格

GaN基SiC HEMT高技術

鄭州市立維創展信息技術有限的企業受權經銷商CREE微波通信配件，若是要求購CREE設備，請彈窗右測客服熱線連接小編！！！