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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D玩法調大器，使使用于多條件蜂窩狀電機功率調大器工藝運用。GTVA261802FC-V1滿足插入替換、高效化率和無軸環熱怎強封裝類型的的特點。

產品的規格型號

詮釋：SiC HEMT上的高額定功率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

很低聲音頻率（MHz）：2620

最明顯的幾率（MHz）：2690

P3dB輸出的電功率（W）：170

增益值值（dB）：16.8

科學規范率（%）：43

額定值電阻值（V）：48

打包封裝門類：Earless

封口：封口分立結晶體管

技術應用：SiC上的GaN

的特點

?GaN-on-SiC HEMT技術性

?進入適用

?基本特征的單脈沖CW穩定性，樂隊組合打印輸出，

2690 MHz，48 V，10μs脈沖激光橫向，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的傳輸瓦數

-P3dB時的漏高超利用率=65.5%

-P3dB=15dB時的增加收益值

?是可以提交48 V、180 W（CW）輸出精度功效下10:1的VSWR

?名模類別1A級（不同ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導熱性比率

?無鉛并要求RoHS的標準

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