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　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

　　QPD0030的最主要的優勢特點也包括：　　- 平率范圍內：DC至5GHz　　- 轉換輸出的(P3dB)：在2.2GHz概率下，轉換輸出的會達49W。　　- 波形收獲：在2.2GHz工作頻率下，典型的收獲為22.3dB。　　- 典型案例PAE3dB：在2.2GHz頻繁下，速率將高達71.5%。　　- 操作端電壓：48V。　　- 低導熱系數封裝：在高上班功率上班時有郊散熱，提高電子器件的動態平衡性和耐用度。　　- 適用維持波(CW)和智能運轉經營模式　　QPD0030可操作于Doherty結構中，特備時候作為一個大型蜂窩、微蜂窩和有源wifi天線系統性的的移動移動基站工作工作電壓縮放器的另外級，也可用做微蜂窩移動移動基站工作工作電壓縮放器的驅程器。該元器件裝封所采用了服務行業的標準的4x3mm面上貼裝QFN裝封，容易結合到現階段的微波射頻系統性的裝修設計中。

珠海市立維創展技術占有固定的供貨周期分銷渠道，的優勢展示Qorvo瓷質二極管封裝IC和裸集成塊的產品，并大量常備外盤庫存量，喜愛網絡咨詢。