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UMS微波通信CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

結晶體管以裸晶片主要形式出示，必須要 內部連接集成運放性能充沛起到其潛質。所以，真是種的設計亮點賦予了了CHK5010-99F高的工作和大范圍的利用潛質。基本亮點包擴其精湛的帶寬作用，不支持高達mg12 GHz的智能和累計波運作。源于GaN新技術，該定制可完成了高輸入輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時完成了較好性能方面。不僅如此，該處理器具0.90x0.80x0.1mm的緊湊型轎車圖片尺寸，或許在受到限制的空間中也都可以輕輕松松融合。拋開其領航的的性能，CHK5010-99F還不符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標淮，以保證干凈和安全性。這讓客戶在選定 和利用貨品時順心，而無須擔心你對生態的危害的影響。總的來說，CHK5010-99F有的是款不錯信任感的高能力GaN納米線管，含有廣泛性的應該用和出眾的的實用功能。其更讓人想象深切的能力和復合行業內標準的使其變成了頻射熱效率應該用的信得過選用，為該這個領域創造了新的應該性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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