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CREE的CMPA2735030是種結合氮化鎵 (GaN) HEMT 的單支微波通信一體化電源線路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比之下較，GaN存在更進一步成績突出的能；包涵越高的電壓擊穿場強；越高的過飽和光學漂移生產率和越高的熱傳導比率。與Si和GaAs晶胞管比較較，GaN HEMT還作為了高些的瓦數導熱系數和更寬的上行寬帶。CMPA2735030包含兩極電抗兼容工作效率變大器設計的想法，會達到非常的寬的傳輸速率。

特征英文

穩定線電壓敢達 50 V

高電壓擊穿場強

間距為 5mm x 5mm；QFN 封口

持續高溫度在使用

使用范疇

軍用型和軍民融合用脈沖激光預警雷達工作效率縮放器

設備規格尺寸

敘述：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 耗油率變大器

最小頻率(MHz)：2700

比較高幀率(MHz)：3500

很高值輸出的工作功率(W)：30

收獲值(dB：)30.0

工作任務學習效率（％）：45

額定負載線電壓(V)：50

手段：離散裸基帶芯片

二極管封裝專業類別：Die

技術工藝：GaN-on-SiC

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