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CREE的GTVB222611FA-V1A是款增碳硅基 GaN HEMT 圖像運放電路，一般來說廣泛應用于多規則蜂窩網絡信息電率圖像運放電路方法廣泛應用。GTVB222611FA-V1A必備更高效應和帶無耳法蘭部的耐高溫促進封口狀態。

本質特征

氫氟酸處理硅基氮化鎵 HEMT 高技術

電磁 CW 耐磨性指標值：2170 MHz、48 V、10 μs 脈寬頻帶寬度、10% pwm占空比、搭檔輸出的

輸出電壓工作效率 @ P3dB = 260 W

上班轉化率@P3dB = 72%

耐高熱增進型打包封裝主要形式

充分考慮 RoHS* 規范標準

適用領域

蜂窩網格基礎上安全設施網站建設

5G前提設施管理發展

軟件型號規格

文章的話：耐低溫提升型 GaN 放縮器

最低的頻繁 (MHz)：1805

最底平率(MHz)：2170

P3dB 輸出瓦數(W)：260

增加收益值(dB)：17.0

辦公效果（％）：72

穩定電流電壓(V)：48

最多值傳輸公率(W)：260

東莞市立維創展科技開發不多建筑欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区-亚洲欧美综合授權使用供應商CREE紅外光電子器件，要是需要購CREE企業產品，請點擊進入左側人工客服關系當我們！！！