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CREE的CMPA1D1E025F是款增碳硅單晶體上只能根據氮化鎵 (GaN) 高光學遷出率晶狀體管 (HEMT) 的單支紅外光整合電路設計 (MMIC)；使用 0.25 μm 柵極寬度生產加工。與硅對比較，GaN-on-SiC含有比較非常好的的能力；砷化鎵或硅基氮化鎵；包涵更大的熱擊穿場強；更大的飽和電子技術漂移使用率和更大的導熱性標準值。CMPA1D1E025 適用 10 絞線；25 mm x 9.9 mm；合金金屬/陶瓷制品活套法蘭盤封裝形式可以達成最非常完美的電氣公司機械和熱不穩定義性。

特色

24 dB 小數據信息增益值值

40 W 主要表現脈沖激光表現 PSAT

額定容量輸出功率高至 40 V

OQPSK 下 20 W 非線性電率

A/B類高收獲；高生產率的率 50 Ω MMIC Ku 規律段高輸出功率拖動器

應該用各個領域

軍工企業用和商用機 Ku 中波段聲納

產品設備年紀

簡述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 頻譜 GaN MMIC 工作電壓拖動器

較低平率(MHz)：13500

上限頻點(MHz)：14500

比較高值打印輸出功效(W)：25

增加收益值(dB)：26.0

崗位使用率（％）：16

額定值工作電壓(V)：40

性質：裝封的MMIC

封裝形式專業類別：法蘭盤盤

方法：GaN-on-SiC

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