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CMPA1C1D060D是款氫氟酸處理硅單晶體上依據氮化鎵 (GaN) 高電子廠遷入率氯化鈉晶體管 (HEMT) 的單面紅外光智能家居控制電線 (MMIC)；CMPA1C1D060D用途0.25 μm柵極尺寸生產生產制作工藝。與硅相對于較，GaN-on-SiC兼具進一步表現出色的使用性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；含蓋較高的電壓擊穿場強；較高的趨于穩定電子器材漂移生產率和較高的傳熱因子。

基本特征

必備條件 26 dB 小數據信息收獲值

60 W 其最典型的 PSAT

載荷系數的電壓高至 40 V

高電壓擊穿場強

高溫度度控制電腦

用教育領域

PTP 無線網流量

小行星通信上漲線路

服務規格

描述英文：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 工作功率變小器

最低的幀率(MHz)：12700

極高頻次(MHz)：13250

更高值輸出的最大功率(W)：65

增加收益值(dB)：26.0

吸收率（％）：30

特殊相電壓(V)：40

形式 ：MMIC 裸片

封裝類型類屬：Die

技能應運：GaN-on-SiC