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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

特性

7.9–8.4GHz運行

80WPOUT（典型示范值）

>13dB輸出功率增益值值

33%主要線型PAE

50Ω內外部答配

<0.1dB工率減少

關鍵技術

衛星影像電訊

室內地坪聯通寬帶

車輛金橋銅業跨接線的截面積大小

描繪：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；輸進/打出套裝搭配GaNHEMT

最低的的頻率(MHz)：7900

最好頻率(MHz)：8400

較高值輸出工作功率(W)：50

增益控制值(dB)：13.0

錯誤率（％）：33

穩定交流電壓(V)：40

內容：打包封裝內容分立硫化鋅管

封裝類型結構類型門類：卡箍盤

技術設備應該用：GaN-on-SiC