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?CGHV50200小行星通信技術氮化鎵高電子器材轉移率納米線管CREE

發布消息時光:2024-01-16 17:16:48     訪問 :987

CGHV50200F是種主要規劃用在高效化氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇;4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

CREE (17).png

有特點

4.4–5.0GHz工作任務

180W常用PSAT

11.5dB常用工作效率增益控制值

48%常見的外接電源速度

50Ω內外兼容性測試

廣泛應用的領域

通信衛星通信技術

跨越目光——BLOS

熱對流層光學玻璃散射網絡通信

類產品要求

分析:200瓦;4400-5000MHz;50Ω輸進/轉換匹配;氮化鎵高智能轉入率硫化鋅管

評均幾率(MHz):4400

極限幾率(MHz):5000

很高值的輸出馬力(W):200

收獲值(dB):11.5

工作中使用率(%):33

額定的交流電壓(V):40

風格:封裝風格分立氯化鈉晶體管

封口類別:蝶閥法蘭盤

能力用:GaN-on-SiC

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