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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子器件遷徙率晶狀體管(HEMT)。具備前所未現的輸出，可在DC-2.0GHz區間之中提高更好的的瞬時光纖寬帶能力。與硅或砷化鎵相較于較，CGHV40180擁有更加的高品質的使用性能；收錄挺高的損壞場強；挺高的飽和點手機漂移流速與挺高的導電標準值。與Si和GaAs硫化鋅管相較較，CGHV40180還供應比較高的功效規格和更寬的帶寬的配置。CGHV40180所采用2電纜線金屬材質/瓷磚法蘭片盤和藥丸式二極管封裝，才可以保持是最好的電力設備和熱相對安全性分析。

特征英文

輸入不兼容

180W(CW)最低值電率

250W明顯工率

24dB主要小數字信號增加收益值

28V和50V在使用

技術應用這個領域

統計試探

診療按摩保健

寬帶網調大器

消息衛生VHF-UHF

防御軍事體育網絡通訊系統

商品規模

講述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子元器件轉化率納米線管

較低工作頻率(MHz)：0

最大頻帶寬度(MHz)：2000

最低值輸入最大功率(W)：200

增益控制值(音貝)：24.0

成功率（％）：70

穩定電壓電流(V)：27

款式：封口分立硫化鋅管

封裝形式種類：法蘭盤盤、丸狀

技術軟件：GaN-on-SiC