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推出時:2023-12-29 17:14:35 瀏覽訪問:1039
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子器件遷徙率晶狀體管(HEMT)。具備前所未現的輸出,可在DC-2.0GHz區間之中提高更好的的瞬時光纖寬帶能力。與硅或砷化鎵相較于較,CGHV40180擁有更加的高品質的使用性能;收錄挺高的損壞場強;挺高的飽和點手機漂移流速與挺高的導電標準值。與Si和GaAs硫化鋅管相較較,CGHV40180還供應比較高的功效規格和更寬的帶寬的配置。CGHV40180所采用2電纜線金屬材質/瓷磚法蘭片盤和藥丸式二極管封裝,才可以保持是最好的電力設備和熱相對安全性分析。

特征英文
輸入不兼容
180W(CW)最低值電率
250W明顯工率
24dB主要小數字信號增加收益值
28V和50V在使用
技術應用這個領域
統計試探
診療按摩保健
寬帶網調大器
消息衛生VHF-UHF
防御軍事體育網絡通訊系統
商品規模
講述:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵高電子元器件轉化率納米線管
較低工作頻率(MHz):0
最大頻帶寬度(MHz):2000
最低值輸入最大功率(W):200
增益控制值(音貝):24.0
成功率(%):70
穩定電壓電流(V):27
款式:封口分立硫化鋅管
封裝形式種類:法蘭盤盤、丸狀
技術軟件:GaN-on-SiC