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CREE的CGHV96130F是無定形碳硅(SiC)材料上的氮化鎵(GaN)高轉入率晶胞管(HEMT)與另外的工藝相較于，CGHV96130F里面改變(IM)FET具經驗豐富的工作熱效率附帶熱效率。與砷化鎵對比，GaN有效果更好的機械性能；也包括比較高的電壓擊穿場強；比較高的供大于求光學漂移網絡速度和比較高的熱導率。與GaAs尖晶石管相比較，GaN HEMT還還具有越高的工作功率密度單位和更寬的網絡帶寬。CGHV96130F便用金屬質/瓷質卡箍芯片封裝需要體現最適的電子商務和熱增強性。

特證

166WPOUT（關鍵值）

7.5dB公率收獲值

42%明顯PAE

50Ω內壁支持

<0.3dB效率下滑

車輛規格為

陳述：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；其主要廣泛用于X波長雷達天線APP的讀取/轉換兼容性測試GaNHEMT

最窄速度(MHz)：8400

更大速率(MHz)：9600

更高值讀取熱效率(W)：130

能力（％）：42

額定功率電壓值(V)：40