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Electro-Photonics的Q3XG-1850R交叉耦合用具備SMT功效，相對 最好是的路線圖板布置圖實現全面性簡化調控。選則中的型打包封裝，具有著低插進耗費和高熱效率功效。Q3XG-1850R混合法合體器其主要用來窄帶和光纖寬帶效率變成器廣泛應用教育領域。

Q3XG-1850R交叉耦合器事非剩磁的，適用在MRI應用上實用。Dragon?藕合器在歐美國家結構設計加工制造，需求RoHS和REACH規范。

Q3XG-1850R條件外表層處理是浸錫。能基于可以作為電學鍍鎳浸金(ENIG)。

特征描述

1500–2200MHz

低衰減

高丟開度

苛刻的振動幅度平衡性性

90度正交

從表面貼裝技木

CTE兼容性測試

DCS、PCS、LTE頻繁段

卷帶確定

測試板722-0006-03-E01

的規格

要求：0.560x0.3504英寸

頻段：1500-2200MHz

工作電壓工作電壓：165瓦

添加耗費：0.10dB

波動失衡性：±.2

丟開度：28dB

駐波比：1.15

相位穩定性性：±2