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?CGHV35150 S波長功效增加器CREE

分享準確時間:2023-10-16 16:55:53     看:947

Wolfspeed的CGHV35150是款有點設計構思的高效化率氮化鎵(GaN)高網絡遷出率氯化鈉晶體管(HEMT);高增益控制和金屬寬帶網性能方面;這也會使CGHV35150特別的適宜2.9–3.5GHzS股票波段雷達天線調小器應運。CGHV35150采用瓷質/五金活套法蘭和藥丸式封口。

本質特征

額定負載儲存量=150W@TCASE=85°C

聲音頻率條件=2.9–3.5GHz

瞬態100ms–300ms@20%占空比

13.5dB工率收獲值@TCASE=85°C

TCASE=85°C時典型性漏級熱效率為50%

鍵盤輸入兼容

<0.3dB激光脈沖升幅消減

技術應用科技領域

S波長統計增加器

CREE(科銳)解散于1987年,CREE科銳配備30數年的光纖寬帶GAP原物料料和企業創新軟件,CREE科銳都是個刪改的方案合作共贏好朋友,合乎微波射頻的實際需求,CREE科銳為行行業內的技術一流的設備設備給予更強的電機功率和更低的功能模塊損失。CREE科銳由最開使的GaN材料LED的類產品水平技術領先全社會,到紅外光頻射與分米波集成ic的類產品,CREE科銳于2017年分開出微波頻射頻射高端品牌Wolfspeed,以寬帶網絡、大公率變成器物料為上海特色。

佛山市立維創展高新科技是CREE的經銷商,成為CREE微波射頻元器件資源優勢購貨方式,并長期的貨源現貨黃金,僅作國內 銷售市場意愿。

情況理解CREE頻射紅外光請點擊進入://www.myloveidc.com/brand/35.html

CREE (15).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV35150P

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV35150F-AMP

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%


Evaluation Board

Flange

CGHV35150F

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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