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發布的時光:2023-09-13 16:58:47 查看:1334
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。
結構特征
輸入兼容
多見的脈沖造成的維持波功效;960–1215MHz;50V;雙層結構;128μs脈沖造成的凈寬;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的輸送馬力;上班學習效率=68%;增加收益值=17dB
無鉛并充分考慮RoHS標淮
APP這個領域
汽車雷達圖像功率放大器
CREE(科銳)解散于1987年,CREE科銳有著30年的寬帶網絡GAP原料料和轉型升級軟件,CREE科銳是一個個完善的定制合作共贏伴侶,具備rf射頻的供給,CREE科銳為行同行業技術應用一流的機器環保設備環保設備供給更強的電率和更低的技能耗損率。CREE科銳由最開使的GaN基本的材質材料LED食品方法智領全世紀,到紅外光微波射頻與公厘波IC芯片食品,CREE科銳于2017年轉移出微波通信頻射項目Wolfspeed,以寬帶網、大瓦數擴大器廠品為優點。
佛山市立維創展自動化是CREE的銷售商,有了CREE微波通信元器件長處供貨期的渠道,并長期性存儲期貨,以便全國賣場供需。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |