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發布公告用時:2023-01-05 16:44:22 閱覽:862
Wolfspeed的CGH27030 專門為高效率設計的氮化鎵(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT);高增益和寬帶寬性能;CGH27030 成為VHF理想化選擇;通信網絡;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器應用領域。旋緊法蘭盤可以使用CGH27030 晶體管;焊接工藝藥丸式封裝;與一個3mmx4mm;表面貼裝技術;雙平無導線(DFN)封裝。
基本特征
VHF–3.0GHz控制
30W谷值電機功率使用性能
>15dB小數據信息增益值值
>28%吸引的效率
app
VHF;電力在線;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHzWiMAX和BWA縮放器技術應用方面。
CREE(科銳)開辦于1987年,CREE科銳配備30歷經多年的聯通寬帶GAP鋼筋取樣料和自主創新護膚品,CREE科銳一個全面的制定聯合好伙伴,貼合頻射的標準,CREE科銳為行同行業枝術智領的POS機設備帶來了更強的工作電壓和更低的能力材料耗費。CREE科銳由最展開的GaN材料的特性LED軟件新技術更優全的世界,到微波微波射頻微波射頻與豪米波處理芯片軟件,CREE科銳于2017年拆分出紅外光rf射頻廠家Wolfspeed,以聯通寬帶、大額定功率圖像放大儀新產品為廣州特色。
成都 市立維創展新材料技術是CREE的生產商商,擁用CREE微波加熱電子器件優勢與劣勢購貨推廣方式,并持久銷量現貨黃金,以備不時之需我國的股票市場供給。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGH27030F | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |
CGH27030P | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
CGH27030F-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CGH27030S-AMP1 | GaN on SiC | 1.8 GHz | 2.2 GHz | 30 W | 18 dB | 33% | 28 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGH27030S | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 18 dB | 33% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Surface Mount |