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?CGH27030 L波長電率調大器CREE

發布公告用時:2023-01-05 16:44:22     閱覽:862

WolfspeedCGH27030 專門為高效率設計的氮化鎵(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT);高增益和寬帶寬性能;CGH27030 成為VHF理想化選擇;通信網絡;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器應用領域。旋緊法蘭盤可以使用CGH27030 晶體管;焊接工藝藥丸式封裝;與一個3mmx4mm;表面貼裝技術;雙平無導線(DFN)封裝。

基本特征

VHF–3.0GHz控制

30W谷值電機功率使用性能

>15dB小數據信息增益值值

>28%吸引的效率

app

VHF;電力在線;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHzWiMAX和BWA縮放器技術應用方面。

CREE(科銳)開辦于1987年,CREE科銳配備30歷經多年的聯通寬帶GAP鋼筋取樣料和自主創新護膚品,CREE科銳一個全面的制定聯合好伙伴,貼合頻射的標準,CREE科銳為行同行業枝術智領的POS機設備帶來了更強的工作電壓和更低的能力材料耗費。CREE科銳由最展開的GaN材料的特性LED軟件新技術更優全的世界,到微波微波射頻微波射頻與豪米波處理芯片軟件,CREE科銳于2017年拆分出紅外光rf射頻廠家Wolfspeed,以聯通寬帶、大額定功率圖像放大儀新產品為廣州特色。

成都 市立維創展新材料技術是CREE的生產商商,擁用CREE微波加熱電子器件優勢與劣勢購貨推廣方式,并持久銷量現貨黃金,以備不時之需我國的股票市場供給。

內容學習CREE頻射徽波請點擊量://www.myloveidc.com/brand/35.html

CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGH27030F

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

15 dB

28%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Flange

CGH27030P

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

15 dB

28%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGH27030F-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

15 dB

28%

28 V

Evaluation Board

Flange

CGH27030S-AMP1

GaN on SiC

1.8 GHz

2.2 GHz

30 W

18 dB

33%

28 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGH27030S

GaN on SiC

DC

6 GHz

30 W

18 dB

33%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount


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