一種新型混頻器MMIC是怎樣利用GaN推動有遠見的線形度
上傳日期:2018-08-03 16:28:24 查詢:2298
CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報,闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。
在過去的一年里,Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵(GaN)工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件,定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。
終于,你們勤奮的技術成果促使無源GaN混頻器方案在輸進三階交調截點(IIP3)與本地人振蕩器器(LO)驅使安裝器的比例問題已經超過全部砷化鎵(GaAs)無源混頻器方案 - a品性質數私人訂制MMIC無法營造曲線生產率。從Sk線到Kk線(2 GHz到19 GHz),哪些新形無源GaN混頻器展出的IIP3數字化遠低過30 dBm,LO驅使安裝電平約為20 dBm,曲線生產率低過10 dB。
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