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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

終于，你們勤奮的技術成果促使無源GaN混頻器方案在輸進三階交調截點（IIP3）與本地人振蕩器器（LO）驅使安裝器的比例問題已經超過全部砷化鎵（GaAs）無源混頻器方案 - a品性質數私人訂制MMIC無法營造曲線生產率。從Sk線到Kk線（2 GHz到19 GHz），哪些新形無源GaN混頻器展出的IIP3數字化遠低過30 dBm，LO驅使安裝電平約為20 dBm，曲線生產率低過10 dB。

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