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C頻譜氮化鎵 HEMT CG2H80015D CREE

上傳期限:2022-08-10 17:04:39     閱覽:1026

Wolfspeed的CG2H80015D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能參數;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子偏移速度;和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT提供更高的功率因素和更寬的帶寬。

共同點

15W典型性PSAT

28伏操控性

高熱擊穿場強

低溫操控性

高達模型8GHz的把控

轉化率高

選用

2路個體工商戶cd機

帶寬放小器

蜂窩理論知識建成

測驗設備

ClassA;AB;主要是使用OFDM的曲線調小器;W-CDMA;邊沿;CDMA波型

CREE(科銳)創立于1987年,CREE科銳兼具30幾十年的聯通寬帶GAP鋼筋取樣料和不斷創新軟件,CREE科銳都是個完好的設置達成合伙人們,包含頻射的使用需求,CREE科銳為行業內人士方法精英型的機器人機供給更強的瓦數和更低的基本功能耗率。CREE科銳由最開啟的GaN基本的材質材料LED設備技巧先進全游戲,到微波通信微波射頻與公分波電源芯片設備,CREE科銳于2017年分開出微波加熱頻射項目Wolfspeed,以寬帶網、大電率變小器設備為獨特。

廣州 市立維創展新材料技術是CREE的經銷商,具有CREE微波通信元器件封裝其優勢供應流通渠道,并暫時貨存期貨,以便中國人股票市場訴求。

商品詳情詳細了解CREE頻射徽波請雙擊://www.myloveidc.com/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80015D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

15 W

>12 dB

70%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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