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分享期限:2022-07-20 16:36:43 瀏覽網頁:930
CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率、高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。
顯著特點
17dB基本特征。10GHz時的小預警增益值值
60%明顯值。10GHz時的PAE
6W典型示范Psat
40伏調節
高至18GHz的把控
使用
小行星電力
PTP通信網絡進行連接
島嶼統計
釣魚艇雷達探測
港口運輸船只交通銀行業務
寬帶網增加器
便捷率增加器

CREE(科銳)建成于1987年,CREE科銳具備30很多年的寬帶網絡GAP原料料和科學創新食品,CREE科銳是個齊全的方案合作共贏伴侶,包含頻射的實際需求,CREE科銳為行業內人士枝術一流的廣州POS機設施具備更強的功效和更低的能力耗用。CREE科銳由最慢慢的GaN材料的特性LED成品的技術領跑全中國,到微波rf射頻rf射頻與厘米波電子器件成品,CREE科銳于2017年剝離 出徽波頻射茶葉品牌Wolfspeed,以網絡帶寬、大功效調大器產品的為上海特色。
山東市立維創展科學是CREE的銷售商,得到CREE微波加熱電子器件的優勢交貨流通渠道,并長期的庫存積壓現貨黃金,僅作中國現代整個市場所需。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1J006D-GP4 | GaN on SiC | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 60% | 40 V | Discrete Bare Die | Die |