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C光波CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT集成塊CREE

分享期限:2022-07-20 16:36:43     瀏覽網頁:930

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。

顯著特點

17dB基本特征。10GHz時的小預警增益值值

60%明顯值。10GHz時的PAE

6W典型示范Psat

40伏調節

高至18GHz的把控

使用

小行星電力

PTP通信網絡進行連接

島嶼統計

釣魚艇雷達探測

港口運輸船只交通銀行業務

寬帶網增加器

便捷率增加器

CREE.png

CREE(科銳)建成于1987年,CREE科銳具備30很多年的寬帶網絡GAP原料料和科學創新食品,CREE科銳是個齊全的方案合作共贏伴侶,包含頻射的實際需求,CREE科銳為行業內人士枝術一流的廣州POS機設施具備更強的功效和更低的能力耗用。CREE科銳由最慢慢的GaN材料的特性LED成品的技術領跑全中國,到微波rf射頻rf射頻與厘米波電子器件成品,CREE科銳于2017年剝離 出徽波頻射茶葉品牌Wolfspeed,以網絡帶寬、大功效調大器產品的為上海特色。

山東市立維創展科學是CREE的銷售商,得到CREE微波加熱電子器件的優勢交貨流通渠道,并長期的庫存積壓現貨黃金,僅作中國現代整個市場所需。

具體詳情熟知 CREE微波射頻射頻微波射頻請鼠標點擊://www.myloveidc.com/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J006D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

6 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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