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MSN12AD12-MP應了解低討論會阻抗匹配交流電傳感器，高電感交流電傳感器或方式電功率電感將會關系到MSN12AD12-MP的增強特性。復制粘貼電阻器所需同時快速設置在MSN12AD12-MP的填寫管身上，以面積最小化填寫紋波直流電壓并服務MSN12AD12-MP平衡性能參數。

為了讓能大大減少轉換紋波并怎強對階躍裝載不同的gif動態崩潰，必須在轉換端用加倍的電阻器。舉薦用低ESR縮聚物和工業陶瓷電玻璃容器器來延長MSN12AD12-MP的所在紋波和動態圖片初始化失敗。

MSN12AD12-MP擁有的內部0.6V可以參考相電壓值，所在相電壓值能實現過渡阻值器RFBH和RFBL積極開展程序編程，截流熱敏電阻器須要務必開啟到VOUT管腳、FB管腳和VOSNS管腳。明顯讓5個電容器的電容值在100Ω和3.4kΩ兩者。假如RFBH設置成為976歐姆，打出電阻值還可以如等式1如下圖所示計算方式，關鍵傳輸端電壓的功率電阻如表1圖示

MSN12AD12-MP內部結構設置成合適軟打火精力（Tss）為1ms。它能按照在TRK管腳和VOSNS管腳范圍內放入濾波電燒杯（Css）來增強。生成電阻器（Css）值可據等式2來確定：（總SS精力=Tss，Tss很小值=1mS）

MSN12AD12-MP供應個模擬系統輸入管腳（TRK），應使用在追查別的個電原板塊或發收間接參照。當間接電阻數據信息鏈接到TRK時，它做為MSN12AD12-MP工作輸出額定電壓的符合。FB端電流徹底尊循該外接端電流數據信息，軟發動控制被無視。TRK插入網絡信號就能夠在0.3V到1.4V的時間范圍內得。在階段起動的時候，TRK需求最初敢達一定600mV，以就可以保障順利本職工作。在此之后，就可以將其控制在為0.3V和1.4V相互之間的很多值。

MSN12AD12-MP必備條件熱效率優異（PG）打出。PG是MOSFET的開漏。據上拉電阻器器（應該為10kΩ）將PG進行連接到VCC或某個不少3.6V的第三方交流電壓電流源。加入的顯示交流電壓電流后，MOSFET導通，以至于在軟起動備好好剛剛，PG被拉至GND。在FB線電壓電流敢達參考資料線電壓電流的96%后，PG在0.8ms延緩后被拉高。當FB輸出功率高于可以參考輸出功率的80%或高出標稱可以參考工作電壓的116%時，PG修改為低。PG僅僅只有在新的軟運行后緣何被拉伸。這樣填寫交流電源電源模塊始終無法 為MSN12AD12-MP供電局，則PG被鉗制在低開，既然PG只能根據上拉電阻功率器連入到外鏈開關電源模塊電源模塊。

大多數的熱公測情況均具備JEDECEIJ/JESD51規格。于是，檢測板面積為80mm×80mm×1.6mm，在0線型調頻必要條件下有4層。MSN12AD12-MP方案適用人群于在殼體室溫超過120°C需要用，不論投入電流大小、投入/輸送電壓降或運作平均溫度咋樣調整。

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