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 HMC637BPM5E不是款砷化鎵(GaAs)、單結合塊徽波結合電路板(MMIC)、假晶高智能滲透率氯化鈉晶體管(pHEMT)、級聯劃分式公率變大器，在順利做工作中時可建立自偏置且具有著IDQ可選擇偏置管理和增加收益修整。該變大器的做工作中幾率范圍圖為DC至6 GHz，保證15 dB小手機信號增加收益、27.5 dBm轉換公率（1 dB增加收益減少）、40 dBm典型的轉換IP3和4 dB噪聲源指標，主要包括VDD 12 V外接電源電壓降時功能消耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范圍圖內的增加收益比較平整度（基本特征值±0.5 dB時）至關優異，進而尤為適于軍事體育、太空飛船和檢驗主設配選用。HMC637BPM5E還極具內部的切換至50 Ω的發送/傷害(I/O)，采用了復合RoHS規格的5 mm × 5 mm LFCSP預設空腔裝封，可與高數量表貼新技術(SMT)轉配主設配兼容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2