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UMS毫米左右波組織結構適配GAN公率納米線管

發布公告時間:2022-04-13 16:54:30     搜索:1004

GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMS毫米左右波保證應用場景ASIC或名錄物品的全方向參考價格,最主要立于子公司內層的III-V枝術,并保證全方向的協議功能,使消費者要能進行搭建自個兒的服務消除策劃方案。UMS亳米波的很多名錄車輛從DC到100GHz都對于GaAs、Gan和SiGe系統,有可高達200W的電率調大器、搭配警報實用功能、極低低頻噪音調大器和全部的收發員器體統。UMS軟件以橡膠模具的表現行駛給出,但一般以多集成塊信息模塊的表現行駛芯片封裝。

成都 市立維創展科技新公司非常有限新公司是UMS的銷售商商,專門為無限通信網絡施工、航天工程通信基站、飲水機、汽車、ism等這個行業帶來了高穩定系統可靠性頻射微波通信豪米波器材及智能家居控制電線。UMS的產品選擇QFN和橡膠模具紙盒包裝,交期期短,定價優質奇特。我們的為一下參數供應優質化量的UMS品牌交易量。歡迎辭咨詢了解。。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


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