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Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提供多種多樣的分立晶體管組件。QORVO分立晶體管GAAS PHEMT接受用戶在設計低噪聲放大器(LNA)電源電路時完全控制。各類分立FET提供低至0.15dB的NF（最小值），最高可采用22GHz。還提供匹配晶體管，特別適合平衡LNA設計。

通常特征

非常低的燥聲公式——低至0.15dBNF（最短值）

展示 裸片或封口形態

應用領域行業

光纖通信移動移動通信基站

國防教育通迅

雙向(PtP)無線網絡電

成都 市立維創展科技發展是QORVO的銷售商，主要的提高QORVO瓦數擴大器，   IC和裸處理器，立維創展收獲安全的供應商橋梁，成本主要優勢，并更多配備現貨平臺存貨，誠邀咨詢了解。

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