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公布的時間段:2020-09-29 14:28:35 預覽:1838
CREE的GaN HEMT器件非常適用于需要降低散熱器要求的超寬帶放大器。CREE微波通用寬帶高功率密度、低寄生和高FT的固有特性允許使用多倍頻程放大器來實現瞬時帶寬。CREE通用寬帶由為混合放大器和多功能發射/接收模塊設計的封裝離散晶體管和分立裸芯片提供,輸出功率為40V的6W至70W(CW)適合于DC-18 GHz的應用。
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SKU | Frequency (Min) | Frequency (Max) | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Package Type |
CGHV1F006S | DC | 15 GHz | 6 W | >7 dB | 0.52 | 40 V | Surface Mount |
CGHV1F006S-AMP1 | 5.85 GHz | 7.2 GHz | 6 W | >7 dB | NA | 40 V | Surface Mount |
CGHV1F006S-AMP3 | 8.5 GHz | 9.6 GHz | 6 W | >7 dB | NA | 40 V | Surface Mount |
CGHV1J006D-GP4 | DC | 18 GHz | 6 W | 17 dB | 0.6 | 40 V | Die |
CGHV1F025S | DC | 15 GHz | 25 W | 11 dB | 0.51 | 40 V | Surface Mount |
CGHV1F025S-AMP1 | 8.9 GHz | 9.6 GHz | 25 W | 11 dB | NA | 40 V | Surface Mount |
CGHV1J025D-GP4 | DC | 18 GHz | 25 W | 17 dB | 0.6 | 40 V | Die |
CGHV1J070D-GP4 | DC | 18 GHz | 70 W | 17 dB | 0.6 | 40 V | Die |
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