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AMCOM離散電機功率GaN HEMT頻射氯化鈉晶體管

披露周期:2020-08-27 16:10:31     預覽:2288

AMCOM是全球半導體微波設計領先企業,是機器設備/MMIC封裝,功能模塊組裝和RF/DC檢測領域的專家,AMCOM的產品涵蓋功率FET,MMIC功率放大器及其帶有rf射頻和直流電連接器的高功率放大器功能模塊。AMCOM離散輸出GaNHEMT頻射單晶體管遵循金牌的平面曲線和光纖寬帶勝機,另外能充分的充分調動更有效的高功效高溶解度和輸出電壓速率。

GaN是一個種相當安全平穩的類化合物,具備較強的分子鍵、高的熱導率、最好的電離度和優秀的藥劑學安全平穩性,這不使GaN元器比Si和GaAs享有更強的抗輻射能性能。同一時間,GaN一種高溶點、高導熱性性的建材。GaN額定功率器材平常以SiC為襯底,有著有效的熱導率,但是GaN瓦數電子元器件有較高的結溫和性炎熱運轉力量。

GaN高電子元器件轉入率氯化鈉晶體管(HEMT)莫染為5G小型通信基站工作生產率擴大器的主打獲選新技術,基于其原有的高穿透輸出熱生產率、高工作生產率密度單位、大上行寬帶和便捷率,早已成為為5 G信號塔首先半導體技術方法。

北京市市立維創展高新科技AMCOM供應商商職業給出AMCOM廠品系例還有:頻射結晶管、MMIC輸出增加器、結合增加器模快、寬帶網絡增加器、高輸出增加器模快、帶RFDC連入器的高額定輸出功率調小器版塊和低環境噪聲調小器,額定輸出功率調小器,旋鈕,衰減器,移相器及及上/下方變頻式器的定制開發等,的產品原廠進口,質量有保障,歡迎圖片詢問。

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 AMCOM.jpg

離散電率GaN HEMT

模特

頻率(GHz)

最大頻率(GHz)

增益(dB)

P1聲音分貝(dBm)

峰值(dBm)

偏差(V)

AM050WN-CU-R

整流電

6

16.5

41.7

43

-14

AM100WN-CU-R

整流電

6

14

44.5

46

-14

AM025WN-BI-R

電流電

8

16

38.9

40

-14

AM012WN-BI-R

整流電

10

17

36.1

37

-14

AM005WN-BI-R

電流電

12

15

32

33.5

-14

AM012WN-00-R

電流電

15

22

36.1

37.7

-14

AM025WN-00-R

整流電

15

21

38.9

40.5

-14

AM050WN-00-R

電流電

15

20

41.7

43.3

-14

AM100WN-00-R

直流電源電

15

19

44.5

46.1

-14

AM005WN-00-R

交流電電

18

23

32

33.4

-14


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