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HMC219B是一個款超小代用雙靜態平衡混頻器，所應用8引腳超小朔膠表貼存儲芯片封裝，帶外露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單存儲芯片紅外光集成式三極管板(MMIC)混頻器所應用砷化鎵(GaAs)金屬半導體行業場效果晶狀體管(MESFET)方法制造廠，不需要靜態開關元件或配備三極管板。該器材能用的 作工作頻率依據為2.5 GHz至7.0 GHz的上定頻器、下定頻器、雙相解調器或相位特別器。 立維創展HMC219B采用了進行推廣的巴倫組成部分，出具好品質的本振(LO)至頻射(RF)底部隔離霜及LO至中頻(IF)底部隔離霜特點。遵循RoHS標淮的HMC219B不必線焊，與高儲存量表貼研制技能兼容。MMIC特點平衡可上升系統工作的工作量并狠抓遵循HiperLAN、U-NII和ISM法律規定要求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE操作

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖