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AM005WN-BI-G-R/AM005WN-BI-R分立微波射頻多晶體管 地區代理現貨交易

發布信息耗時:2019-02-20 14:32:24     觀看:1765

說明
AMCOM的AM005WN-BI-R就都是個分立的GaN/SiC HEMT,總門寬為0.5毫米(mm)。它就都是個淘瓷打包封裝形式,最快運行12千兆赫。Bi系類適用非常規方案的淘瓷打包封裝形式,暗含可以彎曲的(Bi-G)或直(Bi)引線,適用放入式裝方案。包左下角的法蘭片同時做為直流電源的接地保護、微波射頻的接地保護和熱工作區。本地方具有RoHS。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM AM005WN-BI-G-R
AM005WN-BI-R
1周 100
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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db,p5db=33.5dbm,pae=51%,漏極=56%@3GHz
表面安裝
能夠排熱的最底層


應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
電磁波輻射機


示意圖

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