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ADRF5130BCPZ都是款高效率、漫反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅按鈕，采用了無引腳、表貼打包封裝。該按鈕越來越適于高效率和蜂窩基本公用設施軟件應用，如暫時演變(LTE)移動基站。ADRF5130具有著43 dBm（典例性值）高效率辦理程度、0.6 dB低添加圖片耗損率、68 dBm（典例性值）進入曲線度三階交調截點和46 dBm下的0.1 dB擠壓點(P0.1dB)。片內電路系統在5 V單正外接電源功率電壓下任務，典例性偏置功率為1 mA，使其成為了依托于引腳電感按鈕的理想的代替品電子器件。 該電子元件通過適合RoHS的標準的狹窄型24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝形式。

品牌	型號	貨期	庫存
ADI	ADRF5130BCPZ	1周	100

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ADRF5130BCPZapp

• 蜂窩/4G基礎設施
• 無線基礎設施
• 軍事和高可靠性應用
• 測試設備

• 引腳二極管替代器件

ADRF5130BCPZ優勢和特點

• 反射式50 ?設計
• 低插入損耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
• 高隔離度：50 dB（典型值，2 GHz）
• 高功率處理
  • 連續平均功率：43 dBm
  • 峰值功率：46.5 dBm
• 高線性度
  • 0.1 dB壓縮(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
  • 輸出三階交調截點(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
• ESD額定值
  • 人體模型(HBM)：2 kV，2級
  • 充電器件模型(CDM)：待定
• 單正電源
  • VDD：5 V
• 正控制，TTL兼容
  • VCTL： 0 V 或 5 V
• 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝 (16 mm2)

ADRF5130BCPZ結構圖

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