用極具人格獨立柵極偏壓操作的電容串聯晶胞管的GaN HEMT放小器的線型怎強
推送時間:2018-09-06 15:19:40 挑選:1946
弗吉尼亞理工大學,弗吉尼亞州阿靈頓
Kanika Saini,Sanjay Raman,Amin K. Ezzeddine,Ho C Huang:使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。
GaN HEMT具備有高輸入最大輸出功率密度計算和光纖寬帶寬下的有熱效率。可GaN HEMT的規則化度一般比GaAs元件的規則化度差。從文中做出一堆種輕松的策略來優化GaN HEMT的規則化度。所做出的策略是將元件平均分配與獨有管控的柵極偏置電流串并聯的很多子第一單元測試,接下來對聯第一單元測試輸入來最大輸出功率搭配。
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