欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区-亚洲欧美综合

我門計劃書一個多個高特性的GaN MMIC電電工作電阻調小器上班在40MHz到400MHz當中。你該達成80W智能（100US智能高度和10%占空比）MMIC配置）讀取電電工作電阻（P5dB），40MHz，50W有的速度為54%約30%的有的速度在大區域的正中間光波，各類在400MHz時，有的速度迅速降底到30W，有的速度為22%。40-400MHz頻段的電電工作電阻增益值為25dB。你該超大帶特性是能夠 剪裁裝置來達成的。讀取電位差，并用獨有的光纖寬帶網絡集成運放相配拓補學。兩大類裝置的全面裝修設計的技藝并寫出相配集成運放。指數公式條文-光纖寬帶網絡調小器，高電阻的技藝，微波射頻器材，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
一系列產品（圖2）。直流電源偏置端電壓和頻射轉換電位差匹配各種HIFET也是1.4mm廠家充電的成倍。裝置設施設備，很大是在粉紅噪聲段。采用適度的選擇廠家標段設施設備的強弱和標段標段設施設備的規模一系列產品，人們能夠 優化調整HIFET轉換電位差匹配為快要50歐姆，以控制網絡帶寬效能。